Name: Vishay Siliconix SI1025X-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1025X-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI1025X-T1-E3

Artikelnummer:

SI1025X-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F

Datenblätte:

1.SI1025X-T1-E3.pdf ···: Umweltinformationen
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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI1025X-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI1025X-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SC-89 (SOT-563F)
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4Ohm @ 500mA, 10V
Leistung - max	250mW
Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	23pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.7nC @ 15V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	190mA
Konfiguration	2 P-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SI1025
SI1025X-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI1025X-T1-E3 PDF - EN.pdf

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